射頻半導體器件的制備方法及其結構

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110456795.7 申請日 -
公開（公告）號 CN113192836A 公開（公告）日 2021-07-30
申請公布號 CN113192836A 申請公布日 2021-07-30
分類號 H01L21/335;H01L29/778;H01L29/423 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李海濱;許明偉;樊曉兵 申請（專利權）人 深圳市匯芯通信技術有限公司
代理機構 廣州三環(huán)專利商標代理有限公司 代理人 熊永強
地址 518035 廣東省深圳市福田區(qū)華富街道蓮花一村社區(qū)皇崗路5001號深業(yè)上城（南區(qū)）T2棟2701
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請實施例公開了一種射頻半導體器件的制備方法及其結構，該方法包括：在襯底上制備緩沖層，并在緩沖層上外延形成第一結構層；在第一結構層的上表面沉積第一鈍化層，并在第一鈍化層的上表面通過刻蝕工藝形成凸形結構；在凸形結構的外側通過刻蝕工藝形成側墻結構；根據(jù)凸形結構、側墻結構和第一鈍化層在第一結構層內形成重摻雜的第一區(qū)域；或者，根據(jù)凸形結構、側墻結構和第一鈍化層在第一表面區(qū)域上外延形成重摻雜的第一外延層，第一表面區(qū)域為回刻第一結構層后所露出的表面區(qū)域，從而有利于實現(xiàn)自對準和小尺寸結構的柵極工藝集成，提高射頻半導體器件的性能，以及保證制備的源漏極具有較小的寄生電阻和接觸電阻。