射頻半導(dǎo)體器件的制備方法及其結(jié)構(gòu)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110456795.7 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113192836A 公開（公告）日 2021-07-30
申請(qǐng)公布號(hào) CN113192836A 申請(qǐng)公布日 2021-07-30
分類號(hào) H01L21/335;H01L29/778;H01L29/423 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李海濱;許明偉;樊曉兵 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 深圳市匯芯通信技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 熊永強(qiáng)
地址 518035 廣東省深圳市福田區(qū)華富街道蓮花一村社區(qū)皇崗路5001號(hào)深業(yè)上城（南區(qū)）T2棟2701
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)實(shí)施例公開了一種射頻半導(dǎo)體器件的制備方法及其結(jié)構(gòu)，該方法包括：在襯底上制備緩沖層，并在緩沖層上外延形成第一結(jié)構(gòu)層；在第一結(jié)構(gòu)層的上表面沉積第一鈍化層，并在第一鈍化層的上表面通過刻蝕工藝形成凸形結(jié)構(gòu)；在凸形結(jié)構(gòu)的外側(cè)通過刻蝕工藝形成側(cè)墻結(jié)構(gòu)；根據(jù)凸形結(jié)構(gòu)、側(cè)墻結(jié)構(gòu)和第一鈍化層在第一結(jié)構(gòu)層內(nèi)形成重?fù)诫s的第一區(qū)域；或者，根據(jù)凸形結(jié)構(gòu)、側(cè)墻結(jié)構(gòu)和第一鈍化層在第一表面區(qū)域上外延形成重?fù)诫s的第一外延層，第一表面區(qū)域?yàn)榛乜痰谝唤Y(jié)構(gòu)層后所露出的表面區(qū)域，從而有利于實(shí)現(xiàn)自對(duì)準(zhǔn)和小尺寸結(jié)構(gòu)的柵極工藝集成，提高射頻半導(dǎo)體器件的性能，以及保證制備的源漏極具有較小的寄生電阻和接觸電阻。