一種集成芯片及其制作方法和集成電路

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010075251.1 申請日 -
公開（公告）號 CN113161349A 公開（公告）日 2021-07-23
申請公布號 CN113161349A 申請公布日 2021-07-23
分類號 H01L27/06;H01L21/8252;H01L49/02 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 樊永輝;樊曉兵;許明偉;曾學(xué)忠 申請（專利權(quán)）人 深圳市匯芯通信技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳市博衍知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 曾新浩
地址 518000 廣東省深圳市華富街道蓮花一村社區(qū)皇崗路5001號深業(yè)上城（南區(qū)）T2棟2701
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 申請公開了一種集成芯片及其制作方法和集成電路。所述集成芯片包括相連接的氮化鎵高電子遷移率晶體管和LC濾波器，氮化鎵高電子遷移率晶體管包括襯底、外延層、柵極、源極、漏極、鈍化層、第一金屬層和第二金屬層等，LC濾波器包括相連接的電感和電容，電感包括電感繞線和電感端口，電容包括下電極、電容介質(zhì)和上電極，下電極與所述第一金屬層、電感繞線通過同一道制程形成，上電極、第二金屬層和電感端口通過同一道制程形成，所述第二金屬層與所述電感端口、所述上電極耦合。本申請通過對氮化鎵高電子遷移率晶體管和LC濾波器的集成減小芯片以及產(chǎn)品的體積，提高芯片的性能；還將晶體管和濾波器的相關(guān)金屬結(jié)構(gòu)同步制程，進(jìn)一步提高生產(chǎn)效率和芯片性能。