一種集成芯片及其制作方法和集成電路
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010075240.3 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN113161348A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-07-23 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN113161348A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-07-23 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L27/06;H01L23/64;H01L29/778;H01L21/335;H01L21/8252 | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 樊永輝;樊曉兵;許明偉;曾學(xué)忠 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 深圳市匯芯通信技術(shù)有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 深圳市博衍知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 曾新浩 |
| 地址 | 518000 廣東省深圳市華富街道蓮花一村社區(qū)皇崗路5001號(hào)深業(yè)上城（南區(qū)）T2棟2701 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 申請(qǐng)公開(kāi)了一種集成芯片及其制作方法和集成電路。所述集成芯片包括相連接的砷化鎵高電子遷移率晶體管和LC濾波器，砷化鎵高電子遷移率晶體管包括襯底、柵極、源極、漏極、鈍化層、第一金屬層和第二金屬層等，LC濾波器包括相連接的電感和電容，電感包括電感繞線(xiàn)和電感端口，電容包括下電極、電容介質(zhì)和上電極，下電極與所述第一金屬層、電感繞線(xiàn)通過(guò)同一道制程形成，上電極、第二金屬層和電感端口通過(guò)同一道制程形成，所述第二金屬層與所述電感端口、所述上電極耦合。本申請(qǐng)通過(guò)對(duì)砷化鎵高電子遷移率晶體管和LC濾波器的集成減小芯片以及產(chǎn)品的體積，提高芯片的性能；還將晶體管和濾波器的相關(guān)金屬結(jié)構(gòu)同步制程，進(jìn)一步提高生產(chǎn)效率和芯片性能。 |
