一種光刻膠去除機(jī)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201921325353.3 申請日 -
公開（公告）號 CN211123623U 公開（公告）日 2020-07-28
申請公布號 CN211123623U 申請公布日 2020-07-28
分類號 G03F7/42(2006.01)I 分類 -
發(fā)明人 原子健;李曉杰 申請（專利權(quán)）人 濟(jì)源艾探電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京天盾知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 卓邦榮
地址 459000河南省焦作市濟(jì)源市高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)內(nèi)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開了一種光刻膠去除機(jī)構(gòu)，包括傳送部，所述傳送部包括兩側(cè)平行布置的帶式傳輸機(jī)，沿帶式傳輸機(jī)的進(jìn)給方向依次設(shè)置第一處理部和第二處理部，所述第一處理部和第二處理部均包括能夠上下移動的上蓋體和下蓋體，所述上蓋體和下蓋體關(guān)于帶式傳輸機(jī)的工作面對稱布置，本光刻膠去除機(jī)構(gòu)通過第一處理部噴淋去離子水，對光刻膠表層的硬殼進(jìn)行軟化，隨后在微波發(fā)生裝置的作用下，利用等離子體對光刻膠進(jìn)行轟擊，以去除軟化后的硬殼層和部分光刻膠，隨后在第二處理部內(nèi)部噴淋清洗液，對剩余的光刻膠進(jìn)行清洗，由于硬殼被軟化，其去除所需的等離子體轟擊能量下降，降低等離子體對襯底的損傷，且減少清洗液清洗所需時間。??