帶有片內(nèi)實時校準(zhǔn)的高精度電流采樣電路

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110520954.5 申請日 -
公開（公告）號 CN113252949B 公開（公告）日 2021-11-05
申請公布號 CN113252949B 申請公布日 2021-11-05
分類號 G01R1/20（2006.01）I;G01R1/30（2006.01）I;G01R1/36（2006.01）I;G01R35/00（2006.01）I 分類 測量；測試;
發(fā)明人 齊偉;王乃龍 申請（專利權(quán)）人 北京芯格諾微電子有限公司
代理機構(gòu) 北京智宇正信知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 李明卓
地址 100190北京市海淀區(qū)知春路1號學(xué)院國際大廈18層1801
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明實施例公開了一種帶有片內(nèi)實時校準(zhǔn)的電流采樣電路，所述電流采樣電路用于對驅(qū)動晶體管的導(dǎo)通電流進(jìn)行檢測，其特征在于，該電流采樣電路包括第一電阻、第二電阻、電壓采樣電路、采樣電壓運算電路和導(dǎo)通電阻校準(zhǔn)電路；所述電壓采樣電路用于獲取驅(qū)動晶體管的導(dǎo)通壓降值Vds；所述導(dǎo)通電阻校準(zhǔn)電路包括一標(biāo)準(zhǔn)電流源和一校準(zhǔn)晶體管；所述校準(zhǔn)晶體管的導(dǎo)通電阻值設(shè)置成驅(qū)動晶體管的導(dǎo)通電阻值的K1倍；所述電壓采樣電路獲取的驅(qū)動晶體管的導(dǎo)通壓降值Vds與所述校準(zhǔn)晶體管的導(dǎo)通壓降值Vrsns被輸入采樣電壓運算電路，從而獲得導(dǎo)通壓降值Vds與導(dǎo)通壓降值Vrsns的比例關(guān)系K2；當(dāng)標(biāo)準(zhǔn)電流源的電流值為Iref時，驅(qū)動晶體管的導(dǎo)通電流Ids為：Ids＝K1×K2×Iref。