一種H2處理的非晶IGZO透明氧化物薄膜及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201510604284.X 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN105185708B 公開（公告）日 2018-01-19
申請(qǐng)公布號(hào) CN105185708B 申請(qǐng)公布日 2018-01-19
分類號(hào) H01L21/324;H01L21/336;H01L29/10;C23C14/08;C23C14/35 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 宋忠孝;李雁淮;李怡雪;張丹 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 寧波云涂科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 西安通大專利代理有限責(zé)任公司 代理人 西安交通大學(xué);寧波云涂科技有限公司
地址 710049 陜西省西安市咸寧西路28號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種H2處理的非晶IGZO透明氧化物薄膜及其制備方法，該制備方法包括：1)在生長(zhǎng)有SiO2的Si基片上濺射IGZO非晶薄膜，得到生長(zhǎng)有IGZO非晶薄膜的硅基片；2)將生長(zhǎng)有IGZO非晶薄膜的硅基片利用氣氛保護(hù)退火管式爐在N2氣氛下350?450℃保溫45?75分鐘，得到非晶IGZO透明氧化物薄膜。本發(fā)明制備的非晶IGZO透明氧化物薄膜包括In、Ga、Zn及O四種成分；其中，In的原子數(shù)百分含量為18～21％，Ga的原子數(shù)百分含量為18～21％，Zn的原子數(shù)百分含量為8～10％，O的原子數(shù)百分含量為48～56％。本發(fā)明由于改變了退火溫度，一方面減少薄膜內(nèi)部缺陷，提高其穩(wěn)定性；另一方面提高了氧空位的濃度，進(jìn)而提高載流子濃度，降低器件電阻，提高了IGZO透明薄膜的導(dǎo)電能力。進(jìn)而在一定程度上提升了器件的運(yùn)作速度，抗干擾能力。