一種非對稱穿通結(jié)構(gòu)臺面晶閘管

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202021823994.4 申請日 -
公開（公告）號 CN212934619U 公開（公告）日 2021-04-09
申請公布號 CN212934619U 申請公布日 2021-04-09
分類號 H01L29/74;H01L29/06;H01L29/10 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 何春海;沈一舟;張俊 申請（專利權(quán)）人 江蘇東晨電子科技有限公司
代理機構(gòu) 北京思創(chuàng)大成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 高爽
地址 214205 江蘇省無錫市宜興市新街街道百合工業(yè)園
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種非對稱穿通結(jié)構(gòu)臺面晶閘管，所述臺面晶閘管包括基區(qū)和源區(qū)，所述基區(qū)從下至上依次包括有背面基區(qū)、長基區(qū)和正面基區(qū)，所述基區(qū)和正面基區(qū)的一部分區(qū)域上表面形成有鈍化層，正面基區(qū)的另一部分區(qū)域上表面形成有源區(qū)，在長基區(qū)的正面和背面形成穿通區(qū)域，且所述穿通區(qū)域位于鈍化層的側(cè)邊，所述穿通區(qū)域包括正面穿通區(qū)域和背面穿通區(qū)域，所述正面穿通區(qū)域的上表面寬度大于背面穿通區(qū)域的下表面寬度。該非對稱穿通結(jié)構(gòu)臺面晶閘管能夠有效減少正面穿通區(qū)域面積，有效增加源區(qū)面積，降低晶閘管的飽和壓降，降低晶閘管的溫度上升率，提高晶閘管的工作可靠性。