一種半導體器件表面金屬化工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110616313.X 申請日 -
公開（公告）號 CN113584484A 公開（公告）日 2021-11-02
申請公布號 CN113584484A 申請公布日 2021-11-02
分類號 C23C28/02（2006.01）I;C23C14/16（2006.01）I;C23C14/24（2006.01）I;C23C18/36（2006.01）I;H01L21/285（2006.01）I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 黃亞發(fā);張俊 申請（專利權）人 江蘇東晨電子科技有限公司
代理機構 北京思創(chuàng)大成知識產權代理有限公司 代理人 高爽
地址 214205江蘇省無錫市宜興市新街街道百合工業(yè)園
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種半導體器件表面金屬化工藝，該工藝包括以下步驟：S1、對待金屬化的硅片進行表面處理；S2、對表面處理后的硅片進行化學鍍鎳處理，在硅表面形成鎳磷金屬層；S3、將帶有鎳磷金屬層的硅片放入高溫爐中，通入保護氣體進行高溫合金，在硅片表面形成合金層；S4、采用蒸發(fā)銀工藝對帶有合金層的硅片進行真空蒸發(fā)，在合金層外形成銀金屬層，完成金屬化工藝。本發(fā)明通過化學鍍和蒸發(fā)鍍銀兩者工藝結合，利用化學鍍成本低的優(yōu)勢結合上蒸發(fā)工藝環(huán)境污染小，表面金屬穩(wěn)定性好，安全生產風險低等優(yōu)勢來實現(xiàn)半導體器件表面金屬化。