微型超低電容固體放電管及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911157310.3 申請日 -
公開（公告）號 CN110783399A 公開（公告）日 2020-02-11
申請公布號 CN110783399A 申請公布日 2020-02-11
分類號 H01L29/74;H01L29/08 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳俊標;蘇亮;沈一舟 申請（專利權）人 江蘇東晨電子科技有限公司
代理機構 北京思創(chuàng)大成知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 尹慧晶
地址 214205 江蘇省無錫市宜興市新街街道百合工業(yè)園
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種微型超低電容固體放電管及其制備方法，該固體放電管的上面設有硼基區(qū)P，該硼基區(qū)P單側設置有部分交疊的磷擴散埋層N?，在所述硼基區(qū)P內(nèi)布置有第一磷擴散區(qū)N+，在所述第一磷擴散區(qū)N+內(nèi)布置有若干個短路孔形成元胞式陰極；在所述固體放電管的下面布置有一個硼區(qū)P和一個第二磷擴散區(qū)N+，前述硼區(qū)P和第二磷擴散區(qū)N+間隔設置，形成單向芯片陽極結構。本發(fā)明在原低電容結構設計基礎上，在陰極增加了N?埋層，使每個元胞陰極的熱沉增長，從而在相同芯片面積的基礎上增加通流能力。下面采用硼區(qū)和第二磷擴散區(qū)N+對稱式布局，消除了單項放電管的反向壓降，基于該設計，原芯片面積可進行縮減，進而減小PN結面積，大幅度降低結電容。