一種雪崩耐量增強型的VDMOS器件結構及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201711480764.5 申請日 -
公開（公告）號 CN108281486B 公開（公告）日 2021-04-02
申請公布號 CN108281486B 申請公布日 2021-04-02
分類號 H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 朱旭強;張俊;孫旭峰 申請（專利權）人 江蘇東晨電子科技有限公司
代理機構 北京思創(chuàng)大成知識產權代理有限公司 代理人 王堯
地址 214205江蘇省無錫市宜興市新街街道百合工業(yè)園
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種雪崩耐量增強型的VDMOS器件結構及其制作方法，屬于功率半導體器件技術領域，包括：漏區(qū)；位于漏區(qū)上的外延層；位于外延層內的第一調整區(qū)和第二調整區(qū)；位于第一調整區(qū)內的第一阱區(qū)以及嵌入在所述第一阱區(qū)中的源區(qū)；位于第二調整區(qū)的第二阱區(qū)；位于所述第一阱區(qū)內的橫向溝道；位于所述外延層上的柵氧化層，位于所述柵氧化層上的多晶硅層；位于多晶硅層上的介質層；位于所述第一阱區(qū)和第二阱區(qū)上的接觸孔區(qū)；位于所述接觸孔上方的金屬電極區(qū)。本發(fā)明通過在普通VDMOS元胞結構中引入不含源區(qū)的第二P阱區(qū)，并通過第二調整區(qū)的控制，定向引導雪崩擊穿發(fā)生的位置及電流路徑，有效提高了器件的雪崩耐量。??