一種用于ZnO壓敏電阻片的無機(jī)高阻釉的制備方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202111520422.8 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN114213007A | 公開(公告)日 | 2022-03-22 |
申請公布號 | CN114213007A | 申請公布日 | 2022-03-22 |
分類號 | C03C8/00(2006.01)I;C04B41/86(2006.01)I;H01C7/112(2006.01)I | 分類 | 玻璃;礦棉或渣棉; |
發(fā)明人 | 施利毅;余文琪;任鑫;姚政 | 申請(專利權(quán))人 | 上海大學(xué)(浙江·嘉興)新興產(chǎn)業(yè)研究院 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京眾達(dá)德權(quán)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 潘行 |
地址 | 314000浙江省嘉興市南湖區(qū)亞太路906號16號樓2樓 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本申請涉及電工材料制備技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種用于ZnO壓敏電阻片的無機(jī)高阻釉的制備方法,所述方法包括:得到金屬氧化物;將金屬氧化物、無機(jī)溶劑和第一分散劑進(jìn)行混合并研磨,得到第一粉體;將第一粉體進(jìn)行破碎,得到第二粉體;將所述第二粉體、有機(jī)物水分散液和第二分散劑混合并進(jìn)行研磨,得到第一混合漿料;將所述第一混合漿料涂覆于ZnO壓敏電阻片側(cè)面,得到涂覆有無機(jī)高阻釉的ZnO壓敏電阻片,其中,以質(zhì)量分?jǐn)?shù)計,所述金屬氧化物包括:ZnO:80%?89%,Bi2O3:0.3%?1%,Sb2O3:8%?11%,Cr2O3:1%?3%,MnO2:2%?4%,NiO:0.5%?2%,MgO:1%?2%和Al2O3:0.5%?1.5%。無機(jī)高阻釉配方體系生成了復(fù)合鎂鋁尖晶石,可以限制涂層中ZnO晶粒的長大,讓電流不易從ZnO壓敏電阻片側(cè)面通過,提高了ZnO壓敏電阻片的耐大電流沖擊能力。 |
