半導(dǎo)體器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202022858654.1 申請日 -
公開（公告）號 CN214123885U 公開（公告）日 2021-09-03
申請公布號 CN214123885U 申請公布日 2021-09-03
分類號 H01L29/861（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 那雪梅;張文文;喻洋;李吉鋒 申請（專利權(quán)）人 杭州士蘭集成電路有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京成創(chuàng)同維知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 蔡純;李鎮(zhèn)江
地址 310018浙江省杭州市杭州經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)10號大街（東）308號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 公開了一種半導(dǎo)體器件，包括：襯底；第一外延層，位于襯底上；呈陣列排列的多個摻雜溝槽結(jié)構(gòu)，多個摻雜溝槽結(jié)構(gòu)位于第一外延層中，多個摻雜溝槽結(jié)構(gòu)自第一外延層向襯底延伸；位于第一外延層中的隔離溝槽結(jié)構(gòu)，隔離溝槽結(jié)構(gòu)自第一外延層向襯底延伸，隔離溝槽結(jié)構(gòu)包圍多個摻雜溝槽結(jié)構(gòu)；位于第一外延層中的注入?yún)^(qū)，注入?yún)^(qū)與多個摻雜溝槽結(jié)構(gòu)電連接。本實(shí)用新型的半導(dǎo)體器件提高了器件的浪涌防護(hù)能力，降低了器件的鉗位電壓。