MEMS器件及其制造方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110074154.5 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN112897454A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-06-04 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112897454A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-06-04 |
| 分類(lèi)號(hào) | B81C1/00;B81B7/02 | 分類(lèi) | 微觀結(jié)構(gòu)技術(shù)〔7〕; |
| 發(fā)明人 | 季鋒;聞?dòng)老?劉琛;吳仕劍;程燕;賀錦 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 杭州士蘭集昕微電子有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京成創(chuàng)同維知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 蔡純;楊思雨 |
| 地址 | 310018 浙江省杭州市杭州經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)10號(hào)大街（東）308號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種MEMS器件及其制造方法，該制造方法包括：在第一襯底上形成犧牲層；在犧牲層上形成功能層；在功能層的表面的鍵合區(qū)上形成金屬保護(hù)層；去除部分功能層形成第一通道；經(jīng)由第一通道去除部分犧牲層形成空腔，以釋放部分功能層形成可移動(dòng)質(zhì)量塊；形成第一有機(jī)膜，第一有機(jī)膜覆蓋金屬保護(hù)層、功能層的表面、第一通道與空腔的內(nèi)表面；加熱第一有機(jī)膜，以使金屬保護(hù)層上的第一有機(jī)膜的有機(jī)分子被破壞；以及去除金屬保護(hù)層，以暴露鍵合區(qū)。該制造方法通過(guò)去除金屬保護(hù)層將其上的有機(jī)膜去除，從而暴露出鍵合區(qū)，其他區(qū)域的有機(jī)膜被保留，兼顧了鍵合與保護(hù)的功能。 |
