平面功率器件及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110029349.8 申請日 -
公開（公告）號 CN112713194A 公開（公告）日 2021-04-27
申請公布號 CN112713194A 申請公布日 2021-04-27
分類號 H01L29/78;H01L29/423;H01L29/40;H01L21/336 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 夏志平;葉青青;陳洪雷;趙志涌;朱曉彤 申請（專利權(quán)）人 杭州士蘭集成電路有限公司
代理機構(gòu) 北京成創(chuàng)同維知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 蔡純;岳丹丹
地址 310018 浙江省杭州市杭州經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)10號大街（東）308號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種平面功率器件及其制造方法。根據(jù)本發(fā)明的平面功率器件包括襯底；漂移區(qū)，位于所述襯底上；刻蝕阻擋區(qū)，位于所述漂移區(qū)上；以及接觸場板，位于所述刻蝕阻擋區(qū)上，所述接觸場板貫穿部分所述刻蝕阻擋區(qū)，其中，所述刻蝕阻擋區(qū)包括自下而上依次堆疊的第一介質(zhì)層、第二介質(zhì)層、第三介質(zhì)層和第四介質(zhì)層。根據(jù)本發(fā)明實施例的平面功率器件及其制造方法，具有精準的接觸場板孔的刻蝕停止終點和接觸場板下方的刻蝕阻擋區(qū)厚度，能夠有效地提高平面功率器件的擊穿電壓，降低導通電阻。