瞬間電壓抑制器件及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110340545.7 申請日 -
公開（公告）號 CN113130477A 公開（公告）日 2021-07-16
申請公布號 CN113130477A 申請公布日 2021-07-16
分類號 H01L27/02（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王英杰 申請（專利權）人 杭州士蘭集成電路有限公司
代理機構 北京成創(chuàng)同維知識產權代理有限公司 代理人 岳丹丹
地址 310018浙江省杭州市杭州經濟技術開發(fā)區(qū)10號大街（東）308號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 公開了一種瞬間電壓抑制器件及其制造方法，包括：半導體襯底；第一外延層，位于半導體襯底上；多個隔離結構，貫穿第一外延層并延伸至半導體襯底中，多個隔離結構將瞬間電壓抑制器在橫向方向上分為多個區(qū)域，多個區(qū)域包括穩(wěn)壓區(qū)域和至少一組導向二極管區(qū)域，每組導向二極管區(qū)域包括第一區(qū)域和第二區(qū)域；多個第一溝槽結構，位于穩(wěn)壓區(qū)域中，貫穿第一外延層；第一注入區(qū)，位于第二區(qū)域和穩(wěn)壓區(qū)域的第一外延層中；第二注入區(qū)，位于第一區(qū)域和第二區(qū)域的第一外延層中。本申請在穩(wěn)壓區(qū)域中形成鉗位二極管和三極管，鉗位二極管和三極管組成復合穩(wěn)壓管，兩者同時分擔電流，提高擊穿方向上的峰?峰值電流，降低大電流導通時的鉗位電壓，減小器件的尺寸。