容性二極管組件
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201520633924.5 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN205016525U | 公開(公告)日 | 2016-02-03 |
申請公布號 | CN205016525U | 申請公布日 | 2016-02-03 |
分類號 | H01L27/08(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 周源;張彥秀;韋仕貢;徐鴻卓 | 申請(專利權(quán))人 | 北京燕東半導(dǎo)體科技有限公司 |
代理機構(gòu) | 北京成創(chuàng)同維知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 蔡純;高青 |
地址 | 100015 北京市朝陽區(qū)東直門外西八間房萬紅西街2號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 公開了容性二極管組件。所述容性二極管組件包括:第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體襯底;位于半導(dǎo)體襯底上的第二導(dǎo)電類型的外延層,第二導(dǎo)電類型與第一導(dǎo)電類型不同;第一導(dǎo)電類型的隔離區(qū),從外延層的表面穿過外延層延伸至半導(dǎo)體襯底中,從而在外延層中限定第一二極管的第一有源區(qū)和第二二極管的第二有源區(qū),并且將第一有源區(qū)和第二有源區(qū)彼此隔開;第一導(dǎo)電類型的第一摻雜區(qū),在第一有源區(qū)從外延層表面延伸至外延層中;第二導(dǎo)電類型的第二摻雜區(qū),在第二有源區(qū)從外延層表面延伸至外延層中;以及導(dǎo)電通道,在第一有源區(qū)從外延層表面延伸進(jìn)入半導(dǎo)體襯底中,使得外延層和半導(dǎo)體襯底彼此電連接。該容性二極管組件可以作為無極性的電容元件,可以提高瞬態(tài)電壓抑制器的瞬態(tài)響應(yīng)速度。 |
