一種驟回瞬態(tài)電壓抑制器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110722838.1 申請日 -
公開（公告）號 CN113257806A 公開（公告）日 2021-08-13
申請公布號 CN113257806A 申請公布日 2021-08-13
分類號 H01L27/02（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 蔣騫苑;趙德益;呂海鳳;張嘯;王允;郝壯壯;胡亞莉;李佳豪;張彩霞 申請（專利權(quán)）人 上海維安半導(dǎo)體有限公司
代理機構(gòu) 上海申新律師事務(wù)所 代理人 吳軼淳
地址 201323上海市浦東新區(qū)祝橋鎮(zhèn)施灣七路1001號2幢
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種驟回瞬態(tài)電壓抑制器，屬于半導(dǎo)體保護器件領(lǐng)域，包括：外延層形成于襯底上；多個預(yù)設(shè)區(qū)域形成于外延層中且被隔離結(jié)構(gòu)隔離；第一預(yù)設(shè)區(qū)域和第五預(yù)設(shè)區(qū)域包括第一P+區(qū)、第一N+區(qū)和第二P+區(qū)；第二預(yù)設(shè)區(qū)域和第四預(yù)設(shè)區(qū)域包括第二N+區(qū)、第三P+區(qū)和第三N+區(qū)；第三預(yù)設(shè)區(qū)域包括第一P型阱區(qū)、第二P型阱區(qū)、形成于第二P型阱區(qū)內(nèi)的第四N+區(qū)，形成于第一P型阱區(qū)內(nèi)的兩個第四P+區(qū)和兩個第五N+區(qū)；介質(zhì)層形成于外延層的上表面，介質(zhì)層中包括對應(yīng)每個P+區(qū)和N+區(qū)的金屬孔；多個金屬層形成于每個金屬孔中。本發(fā)明的有益效果在于：擊穿電壓和觸發(fā)電壓較低，保護響應(yīng)更快，導(dǎo)通電阻和鉗位電壓更小，對后級集成電路的保護能力更強。