一種低觸發(fā)電壓的SCR器件及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110378050.3 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113140627A 公開（公告）日 2021-07-20
申請(qǐng)公布號(hào) CN113140627A 申請(qǐng)公布日 2021-07-20
分類號(hào) H01L29/74（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L27/02（2006.01）I;H01L21/332（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 趙德益;蔣騫苑;呂海鳳;嚴(yán)林;王達(dá);彭陽(yáng);周凱 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海維安半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海申新律師事務(wù)所 代理人 黨蕾
地址 201323上海市浦東新區(qū)祝橋鎮(zhèn)施灣七路1001號(hào)2幢
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種低觸發(fā)電壓的SCR器件及其制備方法，屬于半導(dǎo)體保護(hù)器件領(lǐng)域，包括：于一襯底的表面形成外延層；于外延層中依次形成P型摻雜區(qū)、N型摻雜區(qū)、P型摻雜區(qū)和N型摻雜區(qū)；分別形成第一N型注入?yún)^(qū)、第二N型注入?yún)^(qū)、第三N型注入?yún)^(qū)、第一P型注入?yún)^(qū)、第二P型注入?yún)^(qū)、第四N型注入?yún)^(qū)、第三P型注入?yún)^(qū)、第五N型注入?yún)^(qū)和第四P型注入?yún)^(qū)，第二P型注入?yún)^(qū)與第一N型摻雜區(qū)、第二P型摻雜區(qū)耦接；于外延層中形成隔離結(jié)構(gòu)；于外延層的表面沉積介質(zhì)層，并分別形成對(duì)應(yīng)每個(gè)注入?yún)^(qū)的接觸孔；于接觸孔中進(jìn)行金屬沉積，并形成金屬連線。本技術(shù)方案的有益效果在于：具有較低的觸發(fā)電壓，較強(qiáng)的靜電泄放能力、較高的穩(wěn)定性和可靠性。