一種超結(jié)型半導體器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202021805759.4 申請日 -
公開（公告）號 CN213483709U 公開（公告）日 2021-06-18
申請公布號 CN213483709U 申請公布日 2021-06-18
分類號 H01L21/336（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L29/786（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 任杰;馬治軍;蘇海偉 申請（專利權(quán)）人 上海維安半導體有限公司
代理機構(gòu) 上海申新律師事務(wù)所 代理人 黨蕾
地址 201323上海市浦東新區(qū)祝橋鎮(zhèn)施灣七路1001號2幢
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型涉及半導體器件的制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種超結(jié)型半導體器件，其特征在于，包括：半導體襯底，半導體襯底上設(shè)有多層超結(jié)結(jié)構(gòu)；每層超結(jié)結(jié)構(gòu)包括具有一第一導電類型雜質(zhì)的外延層和具有一第二導電類型雜質(zhì)的填充區(qū)交替排列；多層超結(jié)結(jié)構(gòu)的雜質(zhì)濃度自下而上依次增加。本實用新型技術(shù)方案具有如下優(yōu)點或有益效果：提出了一種新型的具有多層次超結(jié)結(jié)構(gòu)的半導體器件，可以避免采用深溝槽工藝一次性刻槽引起的明顯EMI問題，增強產(chǎn)品的抗電磁干擾能力，此外，本實用新型的超結(jié)器件生產(chǎn)成本較低。