一種單向半導(dǎo)體放電管及雙向半導(dǎo)體放電管

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202022356951.6 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN213752708U 公開（公告）日 2021-07-20
申請(qǐng)公布號(hào) CN213752708U 申請(qǐng)公布日 2021-07-20
分類號(hào) H01L27/02（2006.01）I;H01L27/07（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 單少杰;蘇海偉;魏峰;王帥;張英鵬;范煒盛 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海維安半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海申新律師事務(wù)所 代理人 黨蕾
地址 201323上海市浦東新區(qū)祝橋鎮(zhèn)施灣七路1001號(hào)2幢
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體保護(hù)器件技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種單向半導(dǎo)體放電管及雙向半導(dǎo)體放電管，其中，包括：相互并聯(lián)的第一TSS器件及第一TVS器件；其中，包括第一半導(dǎo)體襯底，第一半導(dǎo)體襯底上表面設(shè)置有一預(yù)定深度的第一N型摻雜區(qū)，第一半導(dǎo)體襯底下表面設(shè)置有一預(yù)定深度的第二N型摻雜區(qū)；一第一TSS器件區(qū)域；一第一TVS器件區(qū)域設(shè)置于第一TSS器件區(qū)域的一側(cè)；第一TSS器件區(qū)域與第一TVS器件區(qū)域通過第一N型摻雜區(qū)及第二N型摻雜區(qū)實(shí)現(xiàn)并聯(lián)。有益效果：使得形成有二次回歸的特性曲線，且使得在小電流情況下由第一TVS器件區(qū)域?qū)?，從而有效降低器件殘壓，進(jìn)而消除器件浪涌對(duì)后端電路的影響，防止后端電路受到殘壓影響后損壞。