一種瞬態(tài)抑制二極管及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110225399.3 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113013040A 公開（公告）日 2021-06-22
申請(qǐng)公布號(hào) CN113013040A 申請(qǐng)公布日 2021-06-22
分類號(hào) H01L21/48;H01L21/50;H01L23/492;H01L23/498;H01L25/07 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王允;杜牧涵;趙德益;趙志方;蔣騫苑;馮星星;李亞文;張光峰;申彥龍;張利明 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海維安半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海申新律師事務(wù)所 代理人 黨蕾
地址 201323 上海市浦東新區(qū)祝橋鎮(zhèn)施灣七路1001號(hào)2幢
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種瞬態(tài)抑制二極管及其制備方法，屬于半導(dǎo)體過壓防護(hù)技術(shù)領(lǐng)域，包括：步驟S1，提供至少三個(gè)芯片，對(duì)每一芯片的上表面分別進(jìn)行植球，形成連接植球；步驟S2，對(duì)植球后的所有芯片進(jìn)行組合預(yù)包封，形成一包封體；步驟S3，對(duì)包封體、所有芯片的下表面進(jìn)行研磨處理；步驟S4，對(duì)研磨后的芯片進(jìn)行電鍍銅，形成電鍍銅層作為芯片載體，并由每一電鍍銅層的底面分別引出電極引腳；步驟S5，于包封體中對(duì)連接植球的上方進(jìn)行電鍍銅，形成金屬銅連接層，以連接預(yù)定位置的芯片上表面的連接植球。本技術(shù)方案的有益效果在于：采用植球和電鍍銅，增加導(dǎo)通面積，寄生電阻降低，導(dǎo)通阻抗顯著降低，器件的通流能力和鉗位電壓都能有顯著改善。