一種可控硅門極與陽極短接的低正向鉗位電壓開關(guān)二極管
基本信息
申請?zhí)?/td> | PCT/CN2020/081887 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | WO2021068461A1 | 公開(公告)日 | 2021-04-15 |
申請公布號 | WO2021068461A1 | 申請公布日 | 2021-04-15 |
分類號 | H01L29/861;H01L29/87;H01L29/06 | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | ZHAO, DEYI;趙德益;SU, HAIWEI;蘇海偉;LV, HAIFENG;呂海鳳;WANG, YUN;王允;ZHAO, ZHIFANG;趙志方;YE, YUMING;葉毓明;FENG, XINGXING;馮星星;LI, YAWEN;李亞文;WU, QINGQING;吳青青;ZHANG, LIMING;張利明 | 申請(專利權(quán))人 | 上海維安半導(dǎo)體有限公司 |
代理機構(gòu) | - | 代理人 | SHANGHAI EAST ASIA PATENT & TRADEMARK AGENCY CO., LTD.;上海東亞專利商標(biāo)代理有限公司 |
地址 | No. 1001, Shiwan 7th Road, Zhuqiao Town, Pudong New Area,Shanghai 201202 CN | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明提出了一種可控硅門極與陽極短接的低正向鉗位電壓開關(guān)二極管,包括由襯底材料或襯底材料外延層、N型阱、P型阱、N型重?fù)诫s和P型重?fù)诫s構(gòu)成的半導(dǎo)體主體,通過適當(dāng)設(shè)計N型阱、P型阱、N型摻雜和P型摻雜的尺寸和間距構(gòu)成可控硅結(jié)構(gòu),通過金屬連接將可控硅結(jié)構(gòu)的門極和陽極短接形成開關(guān)二極管。利用門極到陰極的電流為陽極到陰極提供觸發(fā)電流,形成正反饋,提前使可控硅結(jié)構(gòu)開啟,降低可控硅結(jié)構(gòu)的開啟電壓,獲得低正向鉗位電壓,本發(fā)明通過金屬連接將控硅結(jié)構(gòu)的門極和陽極短接形成開關(guān)二極管,獲得低正向鉗位電壓。 |
