一種耗盡型場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110363613.1 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113140463A 公開（公告）日 2021-07-20
申請(qǐng)公布號(hào) CN113140463A 申請(qǐng)公布日 2021-07-20
分類號(hào) H01L21/336（2006.01）I;H01L29/10（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 蔣騫苑;趙德益;呂海鳳;郝壯壯;胡亞莉;張彩霞;高小麗;嚴(yán)林;彭陽 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海維安半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海申新律師事務(wù)所 代理人 黨蕾
地址 201323上海市浦東新區(qū)祝橋鎮(zhèn)施灣七路1001號(hào)2幢
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種耗盡型場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件的制備方法，屬于半導(dǎo)體保護(hù)器件領(lǐng)域，包括：步驟S1，在襯底上形成第一外延層；步驟S2，生長(zhǎng)氧化層，并于第一外延層中形成至少兩個(gè)柱區(qū)；步驟S3，形成第二外延層；步驟S4，形成至少兩個(gè)阱區(qū)；步驟S5，形成深槽；于深槽內(nèi)及深槽的上表面形成柵氧化層，于深槽和阱區(qū)之間形成溝道，于柵氧化層的上表面形成多晶硅層；步驟S6，形成依次相連接的第一N型注入?yún)^(qū)、第一P型注入?yún)^(qū)和第二N型注入?yún)^(qū)；步驟S7，形成一介質(zhì)層，并形成對(duì)應(yīng)的接觸孔；步驟S8，淀積源極金屬、柵極金屬；步驟S9，進(jìn)行研磨減薄處理，并形成漏極金屬。本技術(shù)方案的有益效果在于：導(dǎo)通電阻低、關(guān)斷時(shí)耐壓高、漏電流小。