一種MOSFET的柵極保護(hù)電路

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202022690042.6 申請日 -
公開（公告）號 CN213484746U 公開（公告）日 2021-06-18
申請公布號 CN213484746U 申請公布日 2021-06-18
分類號 H02M1/08（2006.01）I;H02M1/32（2007.01）I;H02M1/44（2007.01）I;H03K17/081（2006.01）I 分類 發(fā)電、變電或配電;
發(fā)明人 彭國建;郭建軍;馬治軍 申請（專利權(quán)）人 上海維安半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海申新律師事務(wù)所 代理人 俞滌炯
地址 201323上海市浦東新區(qū)祝橋鎮(zhèn)施灣七路1001號2幢
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型涉及電路技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種MOSFET的柵極保護(hù)電路，其中，包括：一驅(qū)動信號端，以提供一驅(qū)動信號；一啟動模塊，啟動模塊的輸入端連接至驅(qū)動信號端，以根據(jù)驅(qū)動信號產(chǎn)生一啟動電流；一電感，電感的一端連接至啟動模塊的輸出端，電感背向啟動模塊的另一端連接至一待保護(hù)的MOS管的控制端，以抑制瞬間電流尖峰和干擾；一關(guān)斷模塊，輸入端連接于所述驅(qū)動信號端，所述關(guān)斷模塊的輸出端連接于所述電感背向待保護(hù)的所述MOS管的一端，所述關(guān)斷模塊的公共端接地，起到保護(hù)MOS管的作用。有益效果：通過將待保護(hù)的MOS管的控制端連接電感，從而對電流尖峰和震蕩具有抑制作用，使電流變得平滑，起到保護(hù)MOS管的作用。