一種雙向瞬態(tài)電壓抑制器件及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110927439.9 申請日 -
公開（公告）號 CN113380787A 公開（公告）日 2021-09-10
申請公布號 CN113380787A 申請公布日 2021-09-10
分類號 H01L27/02（2006.01）I;H01L27/06（2006.01）I;H01L21/8222（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 蔣騫苑;趙德益;呂海鳳;霍田佳;嚴林;周凱;彭陽 申請（專利權）人 上海維安半導體有限公司
代理機構 上海申新律師事務所 代理人 吳軼淳
地址 201323上海市浦東新區(qū)祝橋鎮(zhèn)施灣七路1001號2幢
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種雙向瞬態(tài)電壓抑制器件及其制備方法，屬于半導體保護器件領域，包括：襯底、阱區(qū)；阱區(qū)包括第一預設區(qū)域和第二預設區(qū)域，第一預設區(qū)域內包括間隔布設的第一摻雜區(qū)；第二預設區(qū)域包括：場摻雜區(qū)，場摻雜區(qū)間隔布設于阱區(qū)內；第二摻雜區(qū)，設置于場摻雜區(qū)之間，第二摻雜區(qū)的鄰邊與場摻雜區(qū)緊密貼合，且第二摻雜區(qū)分別位于每個第一摻雜區(qū)的上表面；場氧化層自場摻雜區(qū)內形成，且凸出于場摻雜區(qū)。本發(fā)明技術方案的有益效果在于：同時具有擊穿電壓低，負阻特性更大的特性，因此具有更低的鉗位電壓，因此具有超低觸發(fā)電壓和超低鉗位電壓的特性，保護后級電路的能力更強。