一種雙向瞬態(tài)電壓抑制器件及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110927439.9 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113380787A 公開(kāi)（公告）日 2021-09-10
申請(qǐng)公布號(hào) CN113380787A 申請(qǐng)公布日 2021-09-10
分類號(hào) H01L27/02（2006.01）I;H01L27/06（2006.01）I;H01L21/8222（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 蔣騫苑;趙德益;呂海鳳;霍田佳;嚴(yán)林;周凱;彭陽(yáng) 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海維安半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海申新律師事務(wù)所 代理人 吳軼淳
地址 201323上海市浦東新區(qū)祝橋鎮(zhèn)施灣七路1001號(hào)2幢
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種雙向瞬態(tài)電壓抑制器件及其制備方法，屬于半導(dǎo)體保護(hù)器件領(lǐng)域，包括：襯底、阱區(qū)；阱區(qū)包括第一預(yù)設(shè)區(qū)域和第二預(yù)設(shè)區(qū)域，第一預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)包括間隔布設(shè)的第一摻雜區(qū)；第二預(yù)設(shè)區(qū)域包括：場(chǎng)摻雜區(qū)，場(chǎng)摻雜區(qū)間隔布設(shè)于阱區(qū)內(nèi)；第二摻雜區(qū)，設(shè)置于場(chǎng)摻雜區(qū)之間，第二摻雜區(qū)的鄰邊與場(chǎng)摻雜區(qū)緊密貼合，且第二摻雜區(qū)分別位于每個(gè)第一摻雜區(qū)的上表面；場(chǎng)氧化層自場(chǎng)摻雜區(qū)內(nèi)形成，且凸出于場(chǎng)摻雜區(qū)。本發(fā)明技術(shù)方案的有益效果在于：同時(shí)具有擊穿電壓低，負(fù)阻特性更大的特性，因此具有更低的鉗位電壓，因此具有超低觸發(fā)電壓和超低鉗位電壓的特性，保護(hù)后級(jí)電路的能力更強(qiáng)。