點(diǎn)蒸發(fā)源及蒸鍍?cè)O(shè)備
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201910364660.0 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN111850478A | 公開(kāi)（公告）日 | 2020-10-30 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111850478A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-10-30 |
| 分類(lèi)號(hào) | C23C14/24(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I | 分類(lèi) | 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕; |
| 發(fā)明人 | 趙樹(shù)利 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 深圳正粵開(kāi)發(fā)建設(shè)有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | - | 代理人 | - |
| 地址 | 100176北京市大興區(qū)北京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)榮昌東街7號(hào)院6號(hào)樓3001室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種點(diǎn)蒸發(fā)源及蒸鍍?cè)O(shè)備，點(diǎn)蒸發(fā)源包括用于容納蒸發(fā)材料的坩堝本體和端蓋，所述坩堝本體的頂端具有開(kāi)口，所述端蓋蓋合在所述坩堝本體的開(kāi)口處，所述端蓋上設(shè)置有多個(gè)蒸發(fā)口部，所述多個(gè)蒸發(fā)口部排成一列，整列蒸發(fā)口部位于同一平面內(nèi)。本發(fā)明通過(guò)在點(diǎn)蒸發(fā)源的坩堝本體端蓋上增加蒸發(fā)口部的數(shù)量，可以充分利用蒸發(fā)口部整流的作用，使用多束蒸發(fā)束流共同沉積制備薄膜，能夠減少現(xiàn)有點(diǎn)蒸發(fā)源因單一蒸發(fā)口造成的薄膜厚度不均勻性(雙駝峰結(jié)構(gòu))現(xiàn)象，使得點(diǎn)蒸發(fā)源在鍍膜基板表面沉積的膜層厚度更均勻，從而有效改善了鍍膜厚度的均勻性。?? |
