點(diǎn)蒸發(fā)源及蒸鍍設(shè)備

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910364660.0 申請日 -
公開（公告）號 CN111850478A 公開（公告）日 2020-10-30
申請公布號 CN111850478A 申請公布日 2020-10-30
分類號 C23C14/24(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 趙樹利 申請（專利權(quán)）人 深圳正粵開發(fā)建設(shè)有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 100176北京市大興區(qū)北京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)榮昌東街7號院6號樓3001室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種點(diǎn)蒸發(fā)源及蒸鍍設(shè)備，點(diǎn)蒸發(fā)源包括用于容納蒸發(fā)材料的坩堝本體和端蓋，所述坩堝本體的頂端具有開口，所述端蓋蓋合在所述坩堝本體的開口處，所述端蓋上設(shè)置有多個(gè)蒸發(fā)口部，所述多個(gè)蒸發(fā)口部排成一列，整列蒸發(fā)口部位于同一平面內(nèi)。本發(fā)明通過在點(diǎn)蒸發(fā)源的坩堝本體端蓋上增加蒸發(fā)口部的數(shù)量，可以充分利用蒸發(fā)口部整流的作用，使用多束蒸發(fā)束流共同沉積制備薄膜，能夠減少現(xiàn)有點(diǎn)蒸發(fā)源因單一蒸發(fā)口造成的薄膜厚度不均勻性(雙駝峰結(jié)構(gòu))現(xiàn)象，使得點(diǎn)蒸發(fā)源在鍍膜基板表面沉積的膜層厚度更均勻，從而有效改善了鍍膜厚度的均勻性。??