一種旋轉裝置及晶圓外延設備
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202123319246.X | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN216585314U | 公開(公告)日 | 2022-05-24 |
申請公布號 | CN216585314U | 申請公布日 | 2022-05-24 |
分類號 | C30B25/12(2006.01)I;C30B25/14(2006.01)I;H01J37/32(2006.01)I | 分類 | 晶體生長〔3〕; |
發(fā)明人 | 黃帥帥;肖蘊章;鐘國仿;王澤樺;劉亮輝;楊方;徐鑫;經(jīng)軍輝;劉佳明;陳炳安 | 申請(專利權)人 | 深圳市納設智能裝備有限公司 |
代理機構 | 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) | 代理人 | - |
地址 | 518000廣東省深圳市光明區(qū)鳳凰街道鳳凰社區(qū)觀光路招商局光明科技園A6棟1B | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本實用新型提供一種旋轉裝置及晶圓外延設備,屬于半導體生產(chǎn)輔助設備領域。該旋轉裝置包括殼體、發(fā)熱層、旋轉組件及托盤;殼體具有中空的容腔,且開設有與容腔相連通的反應氣體入口和出氣口;發(fā)熱層設置于容腔的底部,且開設有旋轉氣體通道;旋轉組件轉動地設置于所述發(fā)熱層上,托盤設置于旋轉組件上,用于放置晶圓。本實用新型提供的旋轉裝置,從旋轉氣體通道進入的氣流能夠驅動旋轉組件轉動,參與反應的氣體從反應氣體入口流入,在晶圓表面發(fā)生化學氣相沉積的過程中,由于晶圓始終處于旋轉的狀態(tài),晶圓表面的各位置發(fā)生反應的概率更為接近,有利于形成良好的外延層。 |
