一種反應(yīng)室及化學(xué)氣相沉積設(shè)備

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202220258919.0 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN216738523U 公開（公告）日 2022-06-14
申請(qǐng)公布號(hào) CN216738523U 申請(qǐng)公布日 2022-06-14
分類號(hào) C23C16/44（2006.01）I;C23C16/458（2006.01）I 分類 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 徐鑫;肖蘊(yùn)章;陳炳安;鐘國(guó)仿 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 深圳市納設(shè)智能裝備有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 -
地址 518000廣東省深圳市光明區(qū)鳳凰街道鳳凰社區(qū)觀光路招商局光明科技園A6棟1B
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N反應(yīng)室及化學(xué)氣相沉積設(shè)備，涉及半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備領(lǐng)域。所述反應(yīng)室包括頂蓋、底座及固定擋板，所述底座上設(shè)有凹槽，所述固定擋板上設(shè)有對(duì)應(yīng)的凸塊，所述凹槽與所述凸塊配合，使所述固定擋板與所述底座固定連接，所述固定擋板用于遮擋所述底座的表面，所述凸塊的長(zhǎng)度和寬度均大于所述凸塊插入所述凹槽的深度。所述化學(xué)氣相沉積設(shè)備包括上述反應(yīng)室。本申請(qǐng)的所述凸塊在插入所述凹槽內(nèi)或從所述凹槽內(nèi)取出時(shí)，所述凸塊不易折斷；所述凸塊受到熱脹冷縮時(shí)不易斷裂，避免所述擋板的意外滑動(dòng)；所述凸塊插入所述凹槽時(shí)容易對(duì)準(zhǔn)，方便所述固定擋板安裝于所述反應(yīng)室內(nèi)。