一種接近式軟膜曝光微納陷光結(jié)構(gòu)的制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201610489978.8 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN106098843B 公開(kāi)（公告）日 2017-06-23
申請(qǐng)公布號(hào) CN106098843B 申請(qǐng)公布日 2017-06-23
分類號(hào) H01L31/18 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 涂亮亮;劉亞坤;林建男;魏明德 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 徐州美興光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 徐州市三聯(lián)專利事務(wù)所 代理人 周愛(ài)芳
地址 221000 江蘇省徐州市徐州經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)楊山路98號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)一種接近式軟膜曝光微納陷光結(jié)構(gòu)的制備方法，屬于太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域，包括以下步驟：1)硬模板的制備；2)將硬模板圖形轉(zhuǎn)換至軟模板；3)將太陽(yáng)能電池硅片進(jìn)行預(yù)清洗，去除表面損傷層；4)在清洗后硅片表面涂覆感光膠；5)將軟模板通過(guò)真空壓力，垂直吸附在感光膠上表面，在平行光照中進(jìn)行曝光；6)曝光后的硅片經(jīng)前烘干，然后用顯影液顯影，最后經(jīng)后烘干；7)采用等離子刻蝕或濕法刻蝕，即得硅襯底微納陷光結(jié)構(gòu)。采用本發(fā)明方法制備的微納米級(jí)織構(gòu)結(jié)構(gòu)可降低硅襯底表面的反射，織構(gòu)結(jié)構(gòu)為亞微米或納米級(jí)、大小均勻、按照一定方式排列，形狀可控，用以晶硅為襯底的太陽(yáng)能電池，可增加太陽(yáng)能電池對(duì)太陽(yáng)光的吸收和利用。