晶體生長過程中提升速度的控制方法、裝置和可讀介質(zhì)
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202110727814.5 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN113463184A | 公開(公告)日 | 2021-10-01 |
申請公布號 | CN113463184A | 申請公布日 | 2021-10-01 |
分類號 | C30B15/26(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I | 分類 | 晶體生長〔3〕; |
發(fā)明人 | 張建成 | 申請(專利權)人 | 西門子(中國)有限公司 |
代理機構(gòu) | - | 代理人 | - |
地址 | 100102北京市朝陽區(qū)望京中環(huán)南路7號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明提供了晶體生長過程中提升速度的控制方法、裝置和可讀介質(zhì),該方法包括:獲取晶體需要生長到的目標直徑;實時采集晶體在生長過程中的實際直徑;將目標直徑和實際直徑作為PID控制的輸入,得到PID輸出值;根據(jù)目標直徑和實際直徑,確定速度計算公式;根據(jù)PID輸出值以及速度計算公式,計算晶體的提升速度;根據(jù)提升速度,對晶體進行拉升處理。本方案能夠提高在晶體生長過程中對提升速度進行控制的精度。 |
