半橋電路性能測(cè)試系統(tǒng)及方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110631861.X 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)(公告)號(hào) CN113295989A 公開(kāi)(公告)日 2021-08-24
申請(qǐng)公布號(hào) CN113295989A 申請(qǐng)公布日 2021-08-24
分類(lèi)號(hào) G01R31/3163(2006.01)I 分類(lèi) 測(cè)量;測(cè)試;
發(fā)明人 李祥;周建宇;黃少海;黨代表 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人 蘇州市運(yùn)泰利自動(dòng)化設(shè)備有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州市越秀區(qū)哲力專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 代理人 王忠浩
地址 215000江蘇省蘇州市太湖國(guó)家旅游度假區(qū)光福鎮(zhèn)福利村102號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種半橋電路性能測(cè)試系統(tǒng),包括用于接入信號(hào)的信號(hào)輸入單元、繼電器矩陣單元、用于測(cè)試半橋電路輸出波形峰值的峰值測(cè)試單元、頻率測(cè)試單元、功率電阻切換單元、網(wǎng)口通信單元、用于建立并聯(lián)電路的功率電阻、控制端,繼電器矩陣單元分別與信號(hào)輸入單元、峰值測(cè)試單元、頻率測(cè)試單元、功率電阻切換單元、網(wǎng)口通信單元連接,功率電阻切換單元根據(jù)半橋電路上MOS管或下MOS管的電阻的導(dǎo)通狀態(tài),控制功率電阻與上MOS管或下MOS管并聯(lián)。在半橋電路工作時(shí),根據(jù)半橋電路上MOS管或下MOS管的電阻的導(dǎo)通狀態(tài),采用功率電阻、峰值測(cè)試單元、頻率測(cè)試單元的協(xié)調(diào)運(yùn)作進(jìn)行MOS管的導(dǎo)通電阻的測(cè)量,提高了測(cè)試效率,解決了工作時(shí)無(wú)法測(cè)量MOS管的問(wèn)題。