一種用于半導體晶圓制備的高純度的多晶硅溶解設備

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111372695.2 申請日 -
公開（公告）號 CN114059172A 公開（公告）日 2022-02-18
申請公布號 CN114059172A 申請公布日 2022-02-18
分類號 C30B35/00（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 張子運;吳海亮;胡祥祥;謝曙陽 申請（專利權）人 江蘇納沛斯半導體有限公司
代理機構 南京文宸知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 賈珍珠
地址 223002江蘇省淮安市淮安工業(yè)園區(qū)發(fā)展西道18號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種用于半導體晶圓制備的高純度的多晶硅溶解設備，涉及硅晶體制造設備技術領域，包括殼體，殼體頂部設置有進料組件，殼體內(nèi)部設置有溶解腔，殼體一側固定連接有電動伸縮缸，溶解腔中設置有連接板，電動伸縮缸的端部貫穿殼體并與連接板固定連接，連接板上固定連接有攪拌組件，殼體底部固定開設有出料口，出料口上設置有過濾組件，過濾組件下方設置有排料箱，排料箱底部固定連接有排料閥，溶解腔與出料口連通，出料口與排料箱連通，溶解腔內(nèi)壁固定連接有支撐板，支撐板中固定連接有轉軸，轉軸上轉動連接有轉筒，轉筒與轉軸之間設置有卷簧，本發(fā)明溶解效率高、下料流暢，出料穩(wěn)定。