一種直拉硅單晶生長(zhǎng)工藝優(yōu)化固液界面氧分布調(diào)節(jié)方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201710811360.3 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN107747122A 公開(kāi)（公告）日 2018-03-02
申請(qǐng)公布號(hào) CN107747122A 申請(qǐng)公布日 2018-03-02
分類(lèi)號(hào) C30B15/20;C30B29/06;C30B30/04 分類(lèi) 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 劉丁;任俊超;張新雨;張晶 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 西安芯磁智能科技合伙企業(yè)（有限合伙）
代理機(jī)構(gòu) 西安弘理專(zhuān)利事務(wù)所 代理人 西安理工大學(xué);西安奕斯偉設(shè)備技術(shù)有限公司
地址 710000 陜西省西安市高新區(qū)西灃南路1888號(hào)1-3-029室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種直拉硅單晶生長(zhǎng)工藝優(yōu)化固液界面氧分布調(diào)節(jié)方法，首先調(diào)節(jié)超導(dǎo)水平磁場(chǎng)強(qiáng)度，得到不同磁場(chǎng)強(qiáng)度下的固液界面氧濃度分布曲線(xiàn)，計(jì)算固液界面的平均氧濃度和固液界面徑向氧濃度分布的均勻性，通過(guò)對(duì)比選取出合適的磁場(chǎng)強(qiáng)度，其次是在選取的磁場(chǎng)強(qiáng)度下分別調(diào)節(jié)晶體轉(zhuǎn)速和坩堝轉(zhuǎn)速，通過(guò)對(duì)比仿真結(jié)果得到適合降低固液界面氧濃度和提高固液界面氧濃度分布均勻性的晶體轉(zhuǎn)速和坩堝轉(zhuǎn)速，最后在所選取的超導(dǎo)磁場(chǎng)強(qiáng)度、晶體轉(zhuǎn)速和坩堝轉(zhuǎn)速三者的共同作用下，得到超導(dǎo)水平磁場(chǎng)下直拉硅單晶固液界面氧濃度分布信息，本發(fā)明解決了現(xiàn)有技術(shù)中存在的直拉硅單晶生長(zhǎng)工藝參數(shù)調(diào)節(jié)時(shí)容易造成晶體中氧含量過(guò)高、氧分布不均勻的問(wèn)題。