一種基于恒拉速控制結(jié)構(gòu)的硅單晶直徑控制方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201710772913.9 申請日 -
公開（公告）號 CN107868979B 公開（公告）日 2020-05-22
申請公布號 CN107868979B 申請公布日 2020-05-22
分類號 C30B29/06;C30B15/22 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 劉丁;段偉鋒;張新雨 申請（專利權(quán)）人 西安芯磁智能科技合伙企業(yè)（有限合伙）
代理機構(gòu) 西安弘理專利事務(wù)所 代理人 韓玙
地址 710048 陜西省西安市金花南路5號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明的目的是提供一種基于恒拉速控制結(jié)構(gòu)的硅單晶直徑控制方法，首先依據(jù)常規(guī)硅單晶控制結(jié)構(gòu)中熱場溫度和晶體直徑數(shù)據(jù)，辨識熱場溫度?晶體直徑過程的非線性大滯后預(yù)測模型，其中預(yù)測模型中的時滯參數(shù)，輸入輸出階次及模型參數(shù)分別通過輸出相關(guān)性時滯確定算法、利普希茨商及訓(xùn)練棧式稀疏自動編碼器獲得，然后將棧式稀疏自動編碼器作為預(yù)測模型引入到非線性廣義預(yù)測控制算法中，通過預(yù)測控制算法中的預(yù)測模型，反饋校正，滾動優(yōu)化等策略實現(xiàn)晶體直徑控制，解決了現(xiàn)有硅單晶直徑控制過程因晶體提拉速度的劇烈波動而出現(xiàn)的控制效果變差，甚至導(dǎo)致控制失效的問題。