一種直拉硅單晶生長工藝優(yōu)化固液界面氧分布調(diào)節(jié)方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN201710811360.3 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN107747122B | 公開（公告）日 | 2018-03-02 |
| 申請公布號 | CN107747122B | 申請公布日 | 2018-03-02 |
| 分類號 | C30B15/20(2006.01)I | 分類 | 晶體生長〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 劉丁;任俊超;張新雨;張晶 | 申請（專利權(quán)）人 | 西安芯磁智能科技合伙企業(yè)（有限合伙） |
| 代理機(jī)構(gòu) | 西安弘理專利事務(wù)所 | 代理人 | 西安理工大學(xué);西安奕斯偉設(shè)備技術(shù)有限公司 |
| 地址 | 710000 陜西省西安市高新區(qū)西灃南路1888號1-3-029室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種直拉硅單晶生長工藝優(yōu)化固液界面氧分布調(diào)節(jié)方法，首先調(diào)節(jié)超導(dǎo)水平磁場強(qiáng)度，得到不同磁場強(qiáng)度下的固液界面氧濃度分布曲線，計(jì)算固液界面的平均氧濃度和固液界面徑向氧濃度分布的均勻性，通過對比選取出合適的磁場強(qiáng)度，其次是在選取的磁場強(qiáng)度下分別調(diào)節(jié)晶體轉(zhuǎn)速和坩堝轉(zhuǎn)速，通過對比仿真結(jié)果得到適合降低固液界面氧濃度和提高固液界面氧濃度分布均勻性的晶體轉(zhuǎn)速和坩堝轉(zhuǎn)速，最后在所選取的超導(dǎo)磁場強(qiáng)度、晶體轉(zhuǎn)速和坩堝轉(zhuǎn)速三者的共同作用下，得到超導(dǎo)水平磁場下直拉硅單晶固液界面氧濃度分布信息，本發(fā)明解決了現(xiàn)有技術(shù)中存在的直拉硅單晶生長工藝參數(shù)調(diào)節(jié)時(shí)容易造成晶體中氧含量過高、氧分布不均勻的問題。?? |
