一種基于恒拉速控制結構的硅單晶直徑控制方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201710772913.9 申請日 -
公開（公告）號 CN107868979A 公開（公告）日 2018-04-03
申請公布號 CN107868979A 申請公布日 2018-04-03
分類號 C30B29/06;C30B15/22 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 劉丁;段偉鋒;張新雨 申請（專利權）人 西安芯磁智能科技合伙企業(yè)（有限合伙）
代理機構 西安弘理專利事務所 代理人 西安理工大學;西安奕斯偉設備技術有限公司
地址 710000 陜西省西安市高新區(qū)西灃南路1888號1-3-029室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明的目的是提供一種基于恒拉速控制結構的硅單晶直徑控制方法，首先依據(jù)常規(guī)硅單晶控制結構中熱場溫度和晶體直徑數(shù)據(jù)，辨識熱場溫度?晶體直徑過程的非線性大滯后預測模型，其中預測模型中的時滯參數(shù)，輸入輸出階次及模型參數(shù)分別通過輸出相關性時滯確定算法、利普希茨商及訓練棧式稀疏自動編碼器獲得，然后將棧式稀疏自動編碼器作為預測模型引入到非線性廣義預測控制算法中，通過預測控制算法中的預測模型，反饋校正，滾動優(yōu)化等策略實現(xiàn)晶體直徑控制，解決了現(xiàn)有硅單晶直徑控制過程因晶體提拉速度的劇烈波動而出現(xiàn)的控制效果變差，甚至導致控制失效的問題。