光刻機劑量均勻性的測量方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911039601.2 申請日 -
公開（公告）號 CN112731768B 公開（公告）日 2021-10-15
申請公布號 CN112731768B 申請公布日 2021-10-15
分類號 G03F7/20（2006.01）I 分類 攝影術(shù)；電影術(shù)；利用了光波以外其他波的類似技術(shù)；電記錄術(shù)；全息攝影術(shù)〔4〕;
發(fā)明人 劉澤華;陳震東 申請（專利權(quán)）人 上海微電子裝備（集團）股份有限公司
代理機構(gòu) 北京品源專利代理有限公司 代理人 孟金喆
地址 201203上海市浦東新區(qū)自由貿(mào)易試驗區(qū)張東路1525號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種光刻機劑量均勻性的測試方法。該測試方法包括：上載待曝光掩模版，待曝光掩模版包括監(jiān)控標(biāo)記；采用待曝光掩模版進行焦面?劑量矩陣曝光，獲取不同焦距和曝光劑量下監(jiān)控標(biāo)記的套刻誤差；確定焦距、曝光劑量與套刻誤差之間的關(guān)系矩陣；根據(jù)關(guān)系矩陣確定曝光劑量作用區(qū)間；采用曝光劑量作用區(qū)間內(nèi)的任意曝光劑量對待曝光掩模版進行焦距矩陣曝光；獲取監(jiān)控標(biāo)記的實際套刻誤差；根據(jù)關(guān)系矩陣以及實際套刻誤差確定曝光場內(nèi)各點的實際曝光劑量，以得到光刻機的劑量均勻性。本發(fā)明的技術(shù)方案可適應(yīng)各種工況需求，也可排除焦面與像差的干擾，從而可準(zhǔn)確測量光刻機的曝光劑量和劑量均勻性。