阻變存儲(chǔ)器、阻變?cè)捌渲苽浞椒?/p>

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202011055087.4 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN112133826A 公開（公告）日 2020-12-25
申請(qǐng)公布號(hào) CN112133826A 申請(qǐng)公布日 2020-12-25
分類號(hào) H01L45/00;H01L27/24 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王丹云;劉宇;沈鼎瀛;邱泰瑋;康賜俊;單利軍 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 廈門半導(dǎo)體工業(yè)技術(shù)研發(fā)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廈門創(chuàng)象知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 廈門半導(dǎo)體工業(yè)技術(shù)研發(fā)有限公司
地址 361000 福建省廈門市軟件園三期誠(chéng)毅北大街62號(hào)109單元0206號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種阻變?cè)闹苽浞椒?，所述阻變?cè)ǖ纂姌O、頂電極以及設(shè)置在所述底電極與所述頂電極之間的阻變層，以形成MIM結(jié)構(gòu)，制備方法包括以下步驟：在制備好第一金屬塊M1后，采用刻蝕工藝、沉積工藝和磨平工藝交叉進(jìn)行，以制備所述底電極、所述阻變層和所述頂電極；在制備所述阻變層的過程中，采用一層保護(hù)層先保護(hù)住阻變材料，再進(jìn)行蝕刻或磨平,以便減少所述阻變層的側(cè)壁損傷及保持所述阻變層的固定形狀和固定側(cè)壁氧濃度。能夠有效減少制備過程中對(duì)于阻變層的損傷；同時(shí)，保持阻變層的固定形狀和固定側(cè)壁氧濃度，并通過尖端集中導(dǎo)電細(xì)絲形成的位置；本發(fā)明還公開了一種阻變?cè)约熬哂衅涞淖枳兇鎯?chǔ)器。