一種半導(dǎo)體集成電路器件及其制造方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011171637.9 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN112420921A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-02-26 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112420921A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-02-26 |
| 分類號(hào) | H01L45/00(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 劉宇;沈鼎瀛;康賜俊;邱泰瑋;王丹云;單利軍 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 廈門(mén)半導(dǎo)體工業(yè)技術(shù)研發(fā)有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京樂(lè)知新創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 江宇 |
| 地址 | 361008福建省廈門(mén)市軟件園三期誠(chéng)毅北大街62號(hào)109單元0206號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種半導(dǎo)體集成電路器件及其制造方法，該半導(dǎo)體集成電路器件包括：第一電極，具有凸起的塊狀結(jié)構(gòu)；阻變層，覆蓋在所述塊狀結(jié)構(gòu)的上表面和側(cè)表面；儲(chǔ)氧層，覆蓋在所述阻變層的上表面和側(cè)表面，其中，所述儲(chǔ)氧層在與所述塊狀結(jié)構(gòu)的上拐角處的厚度比其他位置處的厚度厚；第二電極，覆蓋在所述儲(chǔ)氧層的上表面和側(cè)表面。由于塊狀結(jié)構(gòu)在其上拐角處的電場(chǎng)分布更加集中，且這一位置處的儲(chǔ)氧層較厚，更易于生成導(dǎo)電細(xì)絲。如此，可將導(dǎo)電細(xì)絲的形成位置控制在這一區(qū)域內(nèi)，并在該半導(dǎo)體集成電路器件制造過(guò)程中避免了對(duì)阻變層的側(cè)壁造成損傷的工藝，還進(jìn)一步改進(jìn)了導(dǎo)電細(xì)絲形成的穩(wěn)定性。?? |
