一種集成電路器件和其形成方法及電子設(shè)備
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010408257.6 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN111640862B | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-04-16 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111640862B | 申請(qǐng)公布日 | 2021-04-16 |
| 分類號(hào) | H01L45/00(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 邱泰瑋;沈鼎瀛;康賜俊;劉宇;王丹云;單利軍 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 廈門半導(dǎo)體工業(yè)技術(shù)研發(fā)有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京樂(lè)知新創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 周偉 |
| 地址 | 361008福建省廈門市軟件園三期誠(chéng)毅北大街62號(hào)109單元0206號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)一種集成電路器件和其形成方法及電子設(shè)備。集成電路器件包括：下部金屬互聯(lián)層，被下部介電層圍繞；底部氧化層，設(shè)置在所述下部介電層上方；底部電極，設(shè)置在所述下部金屬互聯(lián)層上方，并且被所述底部氧化層圍繞；電阻轉(zhuǎn)換層，具有可變電阻，設(shè)置在所述底部電極上方；電阻轉(zhuǎn)換層保護(hù)層，設(shè)置在所述底部氧化層上方，并且覆蓋所述電阻轉(zhuǎn)換層的側(cè)面；阻氧層，設(shè)置在所述電阻轉(zhuǎn)換層上方，并且覆蓋所述電阻轉(zhuǎn)換層的頂面；抓氧層，設(shè)置在所述阻氧層上方；頂部電極，設(shè)置在所述抓氧層上方。?? |
