一種電阻式存儲器及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911348857.1 申請日 -
公開（公告）號 CN111029363B 公開（公告）日 2021-05-11
申請公布號 CN111029363B 申請公布日 2021-05-11
分類號 H01L27/24;H01L45/00 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 沈鼎瀛 申請（專利權）人 廈門半導體工業(yè)技術研發(fā)有限公司
代理機構 北京樂知新創(chuàng)知識產權代理事務所（普通合伙） 代理人 江宇
地址 361008 福建省廈門市軟件園三期誠毅北大街62號109單元0206號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種電阻式存儲器，用于提高該電阻式存儲器的存儲密度。上述電阻式存儲器包括多個電阻式存儲記憶胞，設置于一基板上，所述的電阻式存儲記憶胞包括一第一可變阻抗單元和一第二可變阻抗單元，所述電阻式存儲記憶胞還包括一第一開關單元和一第二開關單元。所述第一開關單元耦接于第一可變阻抗單元，所述第二開關單元耦接于第二可變阻抗單元。還包括一第三可變阻抗單元，所述第三可變阻抗單元耦接于第一開關單元或第二開關單元。本發(fā)明還涉及電阻式存儲器的制備方法。