一種半導體集成電路器件及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110293706.1 申請日 -
公開（公告）號 CN113130742A 公開（公告）日 2021-07-16
申請公布號 CN113130742A 申請公布日 2021-07-16
分類號 H01L45/00（2006.01）I;H01L27/24（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 單利軍;康賜俊;邱泰瑋;沈鼎瀛 申請（專利權(quán)）人 廈門半導體工業(yè)技術(shù)研發(fā)有限公司
代理機構(gòu) 北京樂知新創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 江宇
地址 361008福建省廈門市軟件園三期誠毅北大街62號109單元0206號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種半導體集成電路器件及其制造方法，該半導體集成電路器件在阻變層和第一電極之間增加了一層籽晶層，該籽晶層為金屬材料形成的顆粒結(jié)構(gòu)的成膜前狀態(tài)。由于籽晶層的顆粒結(jié)構(gòu)改變了阻變層的地勢形態(tài)，使其呈現(xiàn)凹凸不平狀，進而在凸起處更易形成多條導電細絲。籽晶層可利用沉積工藝，在成膜前的原子成核階段形成顆粒結(jié)構(gòu)。該顆粒結(jié)構(gòu)分布較為分散，從而能促成多條導電細絲的生成，可用于實現(xiàn)存算一體（CIM）的憶阻器等更多應(yīng)用場景。