一種半導(dǎo)體集成電路器件及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110293706.1 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113130742A 公開（公告）日 2021-07-16
申請(qǐng)公布號(hào) CN113130742A 申請(qǐng)公布日 2021-07-16
分類號(hào) H01L45/00（2006.01）I;H01L27/24（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 單利軍;康賜俊;邱泰瑋;沈鼎瀛 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 廈門半導(dǎo)體工業(yè)技術(shù)研發(fā)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京樂知新創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 江宇
地址 361008福建省廈門市軟件園三期誠毅北大街62號(hào)109單元0206號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體集成電路器件及其制造方法，該半導(dǎo)體集成電路器件在阻變層和第一電極之間增加了一層籽晶層，該籽晶層為金屬材料形成的顆粒結(jié)構(gòu)的成膜前狀態(tài)。由于籽晶層的顆粒結(jié)構(gòu)改變了阻變層的地勢(shì)形態(tài)，使其呈現(xiàn)凹凸不平狀，進(jìn)而在凸起處更易形成多條導(dǎo)電細(xì)絲。籽晶層可利用沉積工藝，在成膜前的原子成核階段形成顆粒結(jié)構(gòu)。該顆粒結(jié)構(gòu)分布較為分散，從而能促成多條導(dǎo)電細(xì)絲的生成，可用于實(shí)現(xiàn)存算一體（CIM）的憶阻器等更多應(yīng)用場(chǎng)景。