一種半導(dǎo)體器件及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011340115.7 申請日 -
公開(公告)號 CN112467030A 公開(公告)日 2021-03-09
申請公布號 CN112467030A 申請公布日 2021-03-09
分類號 H01L45/00(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 邱泰瑋;沈鼎瀛;相奇;錢鶴 申請(專利權(quán))人 廈門半導(dǎo)體工業(yè)技術(shù)研發(fā)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京樂知新創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 代理人 江宇
地址 361008福建省廈門市軟件園三期誠毅北大街62號109單元0206號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體器件及其制造方法,該半導(dǎo)體器件的第一電極包括多種電極材料所形成的多層級平板結(jié)構(gòu),且多層級平結(jié)構(gòu)中的每一層均與第二電極垂直相對,使多層級平板結(jié)構(gòu)中的每一層都相當(dāng)于一個下電極與上電極產(chǎn)生相應(yīng)的電場,從而在通電時,可在阻變層內(nèi)形成多條通道,并使導(dǎo)電細(xì)絲的形成控制在每個獨立的通道內(nèi)。如此,可以使導(dǎo)電細(xì)絲在形成時分布更為均勻;此外,在每個獨立通道內(nèi)形成的導(dǎo)電細(xì)絲可以形成多組導(dǎo)電細(xì)絲,進(jìn)而更有利于實現(xiàn)多階阻值,可應(yīng)用在存算一體(CIM)的憶阻器等更多應(yīng)用場景。??