一種半導(dǎo)體器件及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011564605.5 申請日 -
公開（公告）號 CN112687793A 公開（公告）日 2021-04-20
申請公布號 CN112687793A 申請公布日 2021-04-20
分類號 H01L45/00(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 邱泰瑋;單利軍;沈鼎瀛 申請（專利權(quán)）人 廈門半導(dǎo)體工業(yè)技術(shù)研發(fā)有限公司
代理機構(gòu) 北京樂知新創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 江宇
地址 361008福建省廈門市軟件園三期誠毅北大街62號109單元0206號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體器件及其制備方法，該半導(dǎo)體器件包括：半導(dǎo)體襯底，位于半導(dǎo)體襯底上的底部電極層，所述底部電極層中具有垂直于所述半導(dǎo)體襯底的上表面的底電極；位于所述底部電極層之上的阻變層；位于所述阻變層之上的頂電極；覆蓋所述阻變層和頂電極側(cè)壁的隔氧保護層。??