一種半導(dǎo)體器件及其制造方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202011336044.3 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN112467029A | 公開（公告）日 | 2021-03-09 |
| 申請公布號 | CN112467029A | 申請公布日 | 2021-03-09 |
| 分類號 | H01L45/00(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 邱泰瑋;沈鼎瀛;康賜俊;劉宇 | 申請（專利權(quán)）人 | 廈門半導(dǎo)體工業(yè)技術(shù)研發(fā)有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京樂知新創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 江宇 |
| 地址 | 361008福建省廈門市軟件園三期誠毅北大街62號109單元0206號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體器件及其制造方法，該半導(dǎo)體器件的頂電極和底電極中至少有一個(gè)電極包括多種電極材料所形成的多層級結(jié)構(gòu)，且多層級結(jié)構(gòu)中的每一層均與阻變層平行。采用上述結(jié)構(gòu)可使多層級結(jié)構(gòu)中每一層電極材料薄膜的厚度變薄，減少晶柱的產(chǎn)生，使電極表面更為光滑和平整，進(jìn)而使導(dǎo)電細(xì)絲在形成時(shí)分布更為均勻；此外，上述結(jié)構(gòu)因?yàn)榱礁。子谕ㄟ^沉積各層電極材料的過程填補(bǔ)上一層電極材料中的縫隙，且每一層均與所述阻變層平行，可形成阻攔氧逃逸的多層屏障，增強(qiáng)了產(chǎn)品的耐用性。?? |
