一種半導(dǎo)體集成電路器件
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201911407524.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN111081707B | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-04-16 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111081707B | 申請(qǐng)公布日 | 2021-04-16 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L45/00(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I;H01L27/108(2006.01)I;H01L21/8242(2006.01)I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 沈鼎瀛 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 廈門(mén)半導(dǎo)體工業(yè)技術(shù)研發(fā)有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京樂(lè)知新創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 江宇 |
| 地址 | 361008福建省廈門(mén)市軟件園三期誠(chéng)毅北大街62號(hào)109單元0206號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種半導(dǎo)體集成電路器件及其制造方法。其中，半導(dǎo)體集成電路器件包括：基板；在基板之上，并列有動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)單元和電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RRAM)單元；其中，DRAM單元和RRAM單元相互隔離，且DRAM單元的電容器與RRAM單元的可變電阻結(jié)構(gòu)均采用金屬?絕緣體?金屬(MIM)結(jié)構(gòu)，可使用相同的工藝和材料制備。如此，可將DRAM單元與RRAM單元以較為簡(jiǎn)易的生產(chǎn)工藝制備在同一塊芯片上，既能減少數(shù)據(jù)傳輸損耗，還能節(jié)約空間，滿(mǎn)足微縮化需求，從而大大提高了產(chǎn)品的性?xún)r(jià)比。?? |
