光電陣列器件平面化接地方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN201210596279.5 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN103227119A | 公開（公告）日 | 2013-07-31 |
| 申請公布號 | CN103227119A | 申請公布日 | 2013-07-31 |
| 分類號 | H01L21/60(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 黃寓洋;塞萬·拉方波羅塞;劉惠春 | 申請（專利權）人 | 無錫沃浦光電傳感科技有限公司 |
| 代理機構 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 214122 江蘇省無錫市濱湖區(qū)錦溪路100號9號樓10樓 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種光電陣列器件平面化接地方法，包括如下步驟：(1)在襯底上依次生長下接觸層、有源區(qū)和上接觸層；(2)通過光刻形成臺面圖案，陡直刻蝕出內部像素；(3)刻蝕出用于將下電極引至臺面以上的緩坡；(4)淀積金屬電極層；(5)淀積互聯(lián)金屬；(6)進行兩個芯片的倒裝互聯(lián)，形成電學連接。本發(fā)明通過在下接觸電極處形成緩坡臺面，將金屬沉積在緩坡上，從而將下接觸電極引至臺面上，實現(xiàn)正負電極位于同一平面上，有利于后續(xù)的倒裝互聯(lián)。 |
