量子阱紅外探測器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201020187207.1 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN201699035U 公開（公告）日 2011-01-05
申請公布號(hào) CN201699035U 申請公布日 2011-01-05
分類號(hào) H01L31/101(2006.01)I;H01L31/0304(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉燕君 申請（專利權(quán)）人 無錫沃浦光電傳感科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海碩力知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 代理人 王法男
地址 214122 江蘇省無錫濱湖區(qū)錦溪路100號(hào)9號(hào)樓10樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開了一種量子阱紅外探測器，采用了GaAs/AlxGa1-xAs材料體系，利用MBE或者M(jìn)OCVD技術(shù)生長，通過標(biāo)準(zhǔn)的半導(dǎo)體工藝制備。本實(shí)用新型的量子阱結(jié)構(gòu)GaAs勢阱層的厚度為所述AlxGa1-xAs勢壘層的厚度的15～20倍，多量子阱層一個(gè)周期的厚度為80～120nm，多量子阱層的周期數(shù)為15～20，使探測器能夠在室溫或者準(zhǔn)室溫狀態(tài)工作，吸收系數(shù)達(dá)30％以上，實(shí)現(xiàn)了對暗電流的有效抑制，從而大大減小了器件噪聲，探測率可達(dá)到或者接近理論極限值，響應(yīng)速度高于1GHz，最高可達(dá)100GHz。