半導(dǎo)體器件制備臺(tái)面緩坡的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201210596278.0 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN103065941A 公開（公告）日 2013-04-24
申請(qǐng)公布號(hào) CN103065941A 申請(qǐng)公布日 2013-04-24
分類號(hào) H01L21/02(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 塞萬(wàn)·拉方波羅塞;黃寓洋 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 無(wú)錫沃浦光電傳感科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 214122 江蘇省無(wú)錫市濱湖區(qū)錦溪路100號(hào)9號(hào)樓10樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體器件制備臺(tái)面緩坡的方法，包括如下步驟：(1)對(duì)晶圓或芯片進(jìn)行光刻，將待刻蝕的臺(tái)面圖形轉(zhuǎn)移至光刻膠上；(2)光刻膠回流，在光刻膠邊緣形成緩坡；(3)用干法刻蝕，將緩坡形狀轉(zhuǎn)移至晶圓或芯片上；(4)去除光刻膠，在晶圓或芯片上形成需要的臺(tái)面緩坡結(jié)構(gòu)。本發(fā)明可以解決目前通用的使用濕法刻蝕方法帶來(lái)的側(cè)蝕嚴(yán)重，不易控制的問(wèn)題，實(shí)現(xiàn)對(duì)臺(tái)面緩坡的角度、刻蝕深度的良好控制，從而有效提高半導(dǎo)體器件的性能和成品率。