量子阱紅外探測器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201010130063.0 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN102201482A 公開（公告）日 2011-09-28
申請公布號(hào) CN102201482A 申請公布日 2011-09-28
分類號(hào) H01L31/101(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/0304(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉惠春;楊耀 申請（專利權(quán)）人 無錫沃浦光電傳感科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 鄭瑋
地址 214122 江蘇省無錫市濱湖區(qū)錦溪路100號(hào)9號(hào)樓10樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種量子阱紅外探測器，采用了GaAs/AlxGa1-xAs材料體系，利用MBE或者M(jìn)OCVD技術(shù)生長，通過標(biāo)準(zhǔn)的半導(dǎo)體工藝制備。本發(fā)明的量子阱結(jié)構(gòu)具有特定的結(jié)構(gòu)參數(shù)，勢阱的硅雜質(zhì)摻雜濃度高于1×1012cm-2，使探測器能夠在室溫或者準(zhǔn)室溫狀態(tài)工作，吸收系數(shù)達(dá)30％以上，實(shí)現(xiàn)了對暗電流的有效抑制，從而大大減小了器件噪聲，探測率可達(dá)到或者接近理論極限值，響應(yīng)速度高于1GHz，最高可達(dá)100GHz。